【填空题】锗二极管的导通电压是

A.0.3V

B.0.7V

C.1.2V

D.2.2V

锗二极管的死区电压是( )。

A.0.1~0.2V

B.0.5V

C.0.7V

D.0.6V

由锗二极管组成的电路如下图所示，试分析二极管是导通还是截止。

   

硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。

A. 0.2，0.7

B. 0.5，0.2

C. 0.7， 1.0

A、硅二极管的导通压降比锗二极管的大，但硅二极管的开启电压比锗二极管的小

B、硅二极管的导通压降和开启电压均比锗二极管的大

C、硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的小

D、一般情况下，硅二极管的反向击穿电压一般比锗二极管的小一些

图题6.5(a)所示施密特触发器电路中的二极管是锗二极管，其正向压降为0.2V，当输入电压波形如图题6.5(b)时，画出电路的输出波形。

二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?