半导体器件的温度很定性较差,主要是因为()。
A.本征半导体中的自由电子-空穴对受温度的影响
B.温度影响杂质浓度
C.温度影响多子浓度
D.温度影响少子浓度
A.本征半导体中的自由电子-空穴对受温度的影响
B.温度影响杂质浓度
C.温度影响多子浓度
D.温度影响少子浓度
第1题
A、电阻率变化只受散射机构影响
B、温度很低时,电阻率随温度上升而下降,电离杂质散射起主要作用
C、温度较高时,电阻率随温度上升而上升,晶格振动散射起主要作用
D、温度继续升高时,阻率随温度上升而下降,电离杂质散射和晶格振动散射共同起主要作用
E、温度继续升高时,本征激发成为主要矛盾,导致阻率随温度上升而下降
第4题
A、半导体应变片按照特性分类,可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片
B、半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率 p发生变化的现象
C、半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好
D、半导体应变片的灵敏系数极大,因而输出也大,可以不需要放大器直接与记录仪器连接
第5题
一. 单项选择题(共70分,每小题) 1. 半导体应变片的电阻相对变化主要是由于电阻丝的( )变化产生的。 A . 电阻率 B. 尺寸 C.形状 D.材质 2. 金属应变片的电阻相对变化主要是由于电阻丝的( )变化产生的。 A . 电阻率 B. 尺寸 C.形状 D.材质 3.设有一电路,R1、R3是工作桥臂,R2、R4是固定电阻,且R1=R2=R3=R4。工作时R1→R1+2?R1,R3→R3-2?R3 ?R3=?R1 若e0为电桥的电源电压,则电桥输出电压为(B ) A. ?R1*e0/2R1 B. ?R1*e0/R1 C.2?R1*e0/R1 D. 4?R1*e0/R1 4. 在电阻应变片中对金属丝的要求,下面哪一项是正确的( ) A.具有比较低的电阻系数 B.具有较大的温度系数 C.具有较高的弹性极限 D.对铜的热电动势要大 5. 电阻应变式传感器中金属应变片的工作原理是基于( )。 A. 压阻效应 B.压电效应 C.应变效应 D. 霍尔效应 6. 电阻应变式传感器中半导体应变片的工作原理是基于( )。 A. 压阻效应 B.压电效应 C.应变效应 D. 霍尔效应 7 . 金属应变片与半导体应变片相比较,具有( )特点 A. 稳定性和温度特性好 B. 应变灵敏度大 C. 体积小 D. 能制成具有一定应变电阻的元件
第9题
A、切削用量三要素对切削温度的影响都很显著
B、负倒棱和刀尖圆弧半径对切削温度影响很小
C、工件材料的强度、硬度等各项力学性能提高时,切削温度升高
D、刀具后刀面磨损量增大,切削温度升高
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