关于“载流子的漂移运动”,以下说法正确的是:
A.载流子在电场作用下的定向运动。
B.载流子的无规则热运动。
C.载流子的无规则热运动。
D.漂移速度是一个平均值,且是一个有限值。
E.电子和空穴的漂移运动方向相反,但形成的漂移电流密度都与电场方向一致。
A.载流子在电场作用下的定向运动。
B.载流子的无规则热运动。
C.载流子的无规则热运动。
D.漂移速度是一个平均值,且是一个有限值。
E.电子和空穴的漂移运动方向相反,但形成的漂移电流密度都与电场方向一致。
第1题
A、迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。
B、迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度。
C、电子的迁移率为正。
D、电子的迁移率大于空穴的迁移率。
E、电子的迁移率为负,空穴的迁移率为正。
F、电子的迁移率小于空穴的迁移率。
G、电子的迁移率等于空穴的迁移率。
第2题
A、反映了载流子的迁移率和扩散系数之间的关系
B、反映了载流子的漂移运动和扩散运动之间的内在联系
C、仅适用于非简并半导体
D、适用于所有的半导体
E、反映了平衡子载流子运动与非平衡载流子运动之间的关系
F、反映了扩散长度与扩散系数之间的关系
第4题
A、温度越高,扩散越容易
B、影响漂移和扩散的因素基本类似
C、载流子要么进行扩散运动,要么进行漂移运动,不会同时存在
D、同一种载流子在不同材料中的扩散系数是不一样
第5题
A、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的
B、由于PN结交界面两边存在电位差,所以,当把PN结两端短路时就有电流流过
C、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述PN结的反向击穿特性
D、扩散电流是少子运动产生的
第6题
A、载流子在电场作用下作漂移运动。
B、载流子在浓度梯度作用下作扩散运动。
C、迁移率表示载流子在电场作用下作漂移运动的强弱程度。
D、扩散系数表示载流子在浓度梯度作用下作扩散运动的强弱程度。
E、爱因斯坦关系式体现了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系。
F、只有载流子的漂移运动会形成电流,载流子的扩散运动不形成电流。
G、载流子的扩散运动也是定向运动,也会形成电流。
H、在均匀半导体中,如果没有产生非平衡载流子,则不存在载流子的扩散运动。
I、在均匀半导体中,如果在材料的局部区域产生非平衡载流子,则非平衡载流子作扩散运动
J、非均匀半导体中,没有外加电场时,如果没有产生非平衡载流子,则平衡态载流子作扩散运动和漂移运动。
K、在电场作用下,材料中所有的载流子都作漂移运动。
第7题
A、载流子的扩散是在电场作用下的定向运动
B、载流子的漂移运动方向都是从高电位指向低电位
C、迁移率是用来描述载流子漂移运动难易程度的物理量
D、电子的扩散运动方向是从低浓度指向高浓度
第9题
A、空穴会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散
B、空穴会在电场作用下沿电场方向漂移
C、电子会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散
D、电子会在电场作用下沿电场方向漂移
第10题
A、热载流子的有效温度小于晶格温度
B、热载流子的有效温度大于晶格温度
C、热载流子的平均漂移速度随电场的增加而增加
D、热载流子可以通过发射光学波声子来释放从电场中获得的能量
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