关于半导体中的载流子，以下说法不正确的有

A、空穴会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散

B、空穴会在电场作用下沿电场方向漂移

C、电子会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散

D、电子会在电场作用下沿电场方向漂移

A、N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度

B、N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度

C、N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度，

D、N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度

A、本征半导体就是不掺杂的半导体

B、本征半导体中的载流子是由于本征激发产生的

C、本征激发产生的载流子多少只和温度有关

D、本征激发产生的电子和空穴总是一样多

A、P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。

B、N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。

C、P型半导体和N型半导体本身都不带电。

D、在半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断复合。

E、本征半导体不导电。

F、在本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断复合。

G、在外电场的作用下，可以形成电子电流和空穴电流。

A.半导体就是一半导电，一半不导电

B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体

C.半导体中有两种载流子，既有自由电子载流子又有空穴载流子

D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料

A、注入的非平衡少子浓度远小于平衡时的多子浓度

B、半导体中的多数载流子基本不受影响

C、产生=复合

D、外部停止注入载流子后，半导体会在复合的作用下恢复热平衡

A、（1）对 （2）错 （3）错 （4）错

B、（1）错 （2）对 （3）错 （4）错

C、（1）错 （2）错 （3）对 （4）错

D、（1）错 （2）错 （3）错 （4）对

A、半导体材料存在霍尔效应，金属和绝缘材料不存在霍尔效应

B、半导体、金属材料存在霍尔效应，绝缘材料不存在霍尔效应

C、半导体、金属、绝缘材料均存在霍尔效应

D、含有载流子的材料存在霍尔效应，不含载流子的材料不存在霍尔效应

A、硅是闪锌矿结构

B、晶胞是晶体结构中最小的周期性重复单元

C、单晶硅中原子排列整齐，各部分性质相同

D、多晶硅中的原子排列杂乱无序，所以在集成电路制造过程中不使用