夯实装置的振动频率为3OHz，采用（（）回路。

图中，采用回路电流法对回路3列写的电压方程为

A、

B、

C、

D、

在图3．5．1中，晶体管的直流工作点是VCE=8 V，IE=2 mA，工作频率f0=10．7 MHz；调谐回路采用中频变压器L1～3=4μH，Q0=100，其抽头为N2～3=5匝，N1～3=20匝，N4～3=5匝。试计算放大器的下列各值：电压增益、功率增益、通频带、回路插入损耗和稳定系数S(设放大器和前级匹配gs=gie)。晶体管在VCE=8 V，IE=2 mA时参数如下： gie=2 860μS； Cie=18 pF goe=200μS； Coe=7 pF ｜Yfe｜=45 mS； ψfe=-54° ｜Yre｜=0．31 mS；ψre=-88．5°

计算图3．2．16所示的共源放大器(下一级采用同样的管子)。已知：工作频率f0=10．7 MHz；回路电容C3=50 pF；输出端到地之间的抽头p=0．5；线圈电感Q0=50。场效应管采用3DJF，其gfs=3 000 μS，Cds＜8 pF，Cgd＜3 pF，Cds＜5 pF。求：单级电压增益；回路通频带2△f0.7；稳定电压增益。

将题图所示f=1MHz的谐振功率放大器改为输出信号频率为3MHz的三倍频器，要求谐振回路的Q_L=10，试求谐振回路的R，L之值。(已知回路电容C=100pF，并设回路线圈的固有损耗忽略不计)

  

电容抽头并联振荡回路如图6．4．3所示。信号谐振角频率为ωo=10×107rad／s。试计算回路电感L、回路有载品质因数QL的值(已知回路固有品质因数Qo=100)。

图3．5．2表示一单调谐回路中频放大器。已知工作频率f0=10．7 MHz，回路电容C2=56 pF，回路电感L=4μH，Q0=100，L的匝数N=20，接入系数p1=p2=0．3。晶体管T1的主要参数为：fT≥250 MHz，rbb=70 Ω，Cbc≈3 pF，yie=(0．15+j1．45)mS，yoe=(0．082+j0．73)mS，yfe=(38-j4．2)mS。静态工作点电流由R1、R2、R3决定，现IE=1 mA，对应的β0=50。求： 1)单级电压增益Av0； 2)单级通频带2△f0.7； 3)四级总电压增益(Av0)4； 4)四级总通频带(2△f0.7)4； 5)如四级通频带(2△f0.7)4保持和单级时的通频带2△f0.7相同，则此时单级的通频带应加宽多少?四级的总增益下降多少?

设计一并联谐振回路，完成负载RL=200Ω和信号源VS的内阻RS=50Ω间的阻抗匹配，工作频率为f0=100MHz，要求回路带宽BW3dB=10MHz。若采用的有耗线圈的Q值为100，此线圈的分布电容为C0=2pF。求： (1)计算并联回路的线圈电感值和电容值。 (2)当信号源VS=500mV时，求谐振时负载RL的输出电压。 (3)计算此有耗阻抗变换网络引入的插入损耗。

(清华大学2005年考研试题)电路如图3一4所示，图中电压源和电流源是角频率为ω的同频正弦量。用回路电流法分别列写出求解图中指定的回路电流所需的时域方程和正弦稳态下的相量方程(不必求解)。

在LC振荡器中，LC回路的谐振频率为f₀=15MHz,晶体管在15MHz时的相移φ_Y=-18°，反馈电路的相移φ_F=3°。试求LC回路的有载品质因数Q_L=60及Q_L=20时振荡电路的振荡频率f_c，并分析有载品质因数Q_L对振荡电路性能有什么影响。

如题3-7-3图所示。求真空中:

(1)沿Z轴放置的无限长线电流和匝数为1000的矩形回路之间的互感;

(2)如矩形回路及其长度所标尺寸的单位不是米而是厘米,再重新求其互感。