题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

SRAM是利用()来存储0和1的。

A.内部熔丝是否断开

B. 双稳触发器的两个稳态

C. 极间电荷是否积累足够的电荷

D. 浮置栅是否有足够的电荷

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第1题

什么是基本存储单元?在ROM、SRAM和DRAM的基本存储单元中,分别是利用什么方法来记忆二进制0、1信息的?
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第2题

[图]下图所示SRAM存储元中,下列说法正确的是()A、用A点...

下图所示SRAM存储元中,下列说法正确的是()

A、用A点的电平高低表示存储的二进制信息1和0

B、三极管T1和T2呈现互锁关系,B点连接T1的栅极,当B点为低电平(0)时,T1管截止,A点高电平(1)

C、T3和T1管构成一个反相器(非门),其输入为T1的栅极,输出为A点;T4和T2管也构成一个反相器(非门),其输入为T2栅极,输出为B点,因此,该SRAM存储元采用2个非门互锁构成一个触发器电路,其中A点看成是Q端,B点是/Q端

D、上述图所示的存储元存储了2位二进制信息

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第3题

为8088CPU应用系统设计一个32K×8的随机读写存储器,起始地址为68000H。系统具有20根地址线A19—A0,8根数据线D7—D0。要求用INTEL6264 SRAM(8K×8)存储器芯片和74LS138译码器设计。具体要求如下: (1) 需几个SRAM芯片? (2) 片内地址线有多少根? (3) 存储器的末地址是多少?
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第4题

某存储器容量为9KEB,其中ROM区4KB,用EPROM芯片(4K*2位/片)组成;RAM区5KB,用SRAM芯片(4K*8位/片和1K*8位/片)组成。地址总线A13~A0(A0为最低位)。 据存储器容量,EPROM芯片和SRAM芯片各需要多少片?分别选择一个正确答案。 SRAM芯片( )片。

A、2

B、4

C、8

D、12

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第5题

某存储器容量为9KEB,其中ROM区4KB,用EPROM芯片(4K*2位/片)组成;RAM区5KB,用SRAM芯片(4K*8位/片和1K*8位/片)组成。地址总线A13~A0(A0为最低位)。 EPROM芯片和SRAM芯片各连入哪几根地址线?分别选择一个正确答案。 (1)EPROM芯片( )。 (2)4KSRAM芯片( )。 (3)1KSRAM芯片( )。 A A10~A0 B A12~A0 C

A、C C D

B、C C C

C、D D D

D、D D C

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第6题

为某8位微机系统设计一个具有48KB RAM的存储器,若选用SRAM芯片6264,需要几片?若RAM的地址从4000H开始,则结束地址是多少?

A、8片;0BFFFH

B、6片;0BFFFH

C、8片;0FFFFH

D、6片;0FFFFH

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第7题

试为某8位计算机系统设计一个具有8KB ROM和40KB RAM的存储器。要求ROM用EPROM芯片2732(4K×8bits)组成,地址从0x0000地址开始;RAM用SRAM芯片6264(8K×8bits)组成,地址从0x4000地址开始。
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第8题

4、可以将SRAM映射到CODE存储空间的 ~(0x8000+SRAM_SIZE-1)的区域
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第9题

下图所示SRAM存储元中,下列说法正确的是() [图]A、T5和...

下图所示SRAM存储元中,下列说法正确的是()

A、T5和T6管受X地址译码线控制,当该译码线上有低电平时,T5和T6同时导通,A点和B点和左右两侧的位线连通

B、T7和T8管受Y地址译码线控制,当该译码线上有低电平时,T7和T8同时导通,左右两侧的位线分别和I/O以及连通

C、存储元在读写时,X地址译码线和Y地址译码线必须同时为高电平

D、存储元在读写时,只要X地址译码线和Y地址译码线有一个为高电平即可

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第10题

SRAM中地址范围是0x000~0x0ff的存储区域对应的BSR值为( )。

A、0

B、1

C、2

D、3

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