题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
SRAM是利用()来存储0和1的。
A.内部熔丝是否断开
B. 双稳触发器的两个稳态
C. 极间电荷是否积累足够的电荷
D. 浮置栅是否有足够的电荷
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A.内部熔丝是否断开
B. 双稳触发器的两个稳态
C. 极间电荷是否积累足够的电荷
D. 浮置栅是否有足够的电荷
第2题
下图所示SRAM存储元中,下列说法正确的是()
A、用A点的电平高低表示存储的二进制信息1和0
B、三极管T1和T2呈现互锁关系,B点连接T1的栅极,当B点为低电平(0)时,T1管截止,A点高电平(1)
C、T3和T1管构成一个反相器(非门),其输入为T1的栅极,输出为A点;T4和T2管也构成一个反相器(非门),其输入为T2栅极,输出为B点,因此,该SRAM存储元采用2个非门互锁构成一个触发器电路,其中A点看成是Q端,B点是/Q端
D、上述图所示的存储元存储了2位二进制信息
第3题
第4题
A、2
B、4
C、8
D、12
第5题
A、C C D
B、C C C
C、D D D
D、D D C
第6题
A、8片;0BFFFH
B、6片;0BFFFH
C、8片;0FFFFH
D、6片;0FFFFH
第7题
第9题
下图所示SRAM存储元中,下列说法正确的是()
A、T5和T6管受X地址译码线控制,当该译码线上有低电平时,T5和T6同时导通,A点和B点和左右两侧的位线连通
B、T7和T8管受Y地址译码线控制,当该译码线上有低电平时,T7和T8同时导通,左右两侧的位线分别和I/O以及连通
C、存储元在读写时,X地址译码线和Y地址译码线必须同时为高电平
D、存储元在读写时,只要X地址译码线和Y地址译码线有一个为高电平即可
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