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[单选题]

可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性,如一种半导体材料的霍尔系数为负值,该材料通常是()

A.n型

B.p型

C.本征型

D.高度补偿型

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第1题

对大注入条件下,在一定的温度下,非平衡载流子的寿命与()。

A.平衡载流子浓度成正比

B.非平衡载流子浓度成正比

C.平衡载流子浓度成反比

D.非平衡载流子浓度成反比

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第2题

如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料为()。

A.金属

B.本征半导体

C.掺杂半导体

D.高纯化合物半导体

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第3题

对于只含一种杂质的非简并n型半导体,费米能级EF随温度上升而()

A.单调上升

B.单调下降

C.经过一个极小值趋近Ei

D.经过一个极大值趋近Ei

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第4题

如果一半导体的导带中发现电子的几率为零,那么该半导体必定()。

A.不含施主杂质

B.不含受主杂质

C.不含任何杂质

D.处于绝对零度

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第5题

本征半导体是指()的半导体

A.不含杂质和缺陷

B.电阻率最高

C.电子密度和空穴密度相等

D.电子密度与本征载流子密度相等

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第6题

以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是()

A.Si

B.Ge

C.GaAs

D.GaN

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第7题

当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时,其小注入下的少子寿命正比于()

A.1/n0

B.1/△n

C.1/p0

D.1/△p

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第8题

有效复合中心的能级必靠近()

A.禁带中部

B.导带

C.价带

D.费米能级

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第9题

对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与()

A.平衡载流子浓度成正比

B.非平衡载流子浓度成正比

C.平衡载流子浓度成反比

D.非平衡载流子浓度成反比

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第10题

简述什么是MIS结构,并简单介绍MIS器件的功能。
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