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[主观题]

将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为(

将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为()曝光。

A.接触

B.接近式

C.投影

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第1题

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度

的()。

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第2题

单相3线插座接线有严格规定()A.“左零”“右火”B.“左火”“右零”

单相3线插座接线有严格规定()

A.“左零”“右火”

B.“左火”“右零”

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第3题

对于大尺寸的MOS管版图设计,适合采用什么样的版图结构?简述原因。

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第4题

外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外

延等。

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第5题

光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。

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第6题

下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是:()A、单基极条图形B、双基极条图形C、基极

下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是:()

A、单基极条图形

B、双基极条图形

C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构

D、梳状结构

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第7题

离子注入是借其()强行进入靶材料中的一个()物理过程。

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第8题

集成电容主要有哪几种结构?

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第9题

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()。A.刻制图形B.绘

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()。

A.刻制图形

B.绘制图形

C.制作图形

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第10题

半导体材料的主要晶体结构有()型、闪锌矿型、()型。

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