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[主观题]

外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外

外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外延等。

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第1题

光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。

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第2题

下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是:()A、单基极条图形B、双基极条图形C、基极

下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是:()

A、单基极条图形

B、双基极条图形

C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构

D、梳状结构

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第3题

离子注入是借其()强行进入靶材料中的一个()物理过程。

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第4题

集成电容主要有哪几种结构?

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第5题

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()。A.刻制图形B.绘

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()。

A.刻制图形

B.绘制图形

C.制作图形

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第6题

半导体材料的主要晶体结构有()型、闪锌矿型、()型。

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第7题

二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。A.预B.再C.选择

二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。

A.预

B.再

C.选择

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第8题

白光照射二氧化硅时,不同的厚度有不同的()。

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第9题

从离子源引出的是:()A、原子束B、分子束C、中子束D、离子束

从离子源引出的是:()

A、原子束

B、分子束

C、中子束

D、离子束

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第10题

离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。A.能量B.剂量

离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。

A.能量

B.剂量

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